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我国开创第三类存储技术 写入速度U盘1万倍 新型纳米级胶片有多牛?

来源:网络资讯 作者:test2014 人气: 发布时间:2018-04-12 08:24

我国开创第三类存储技术,写入速度U盘1万倍,新型纳米级胶片有多牛?中国的科学家团队,已经开发出了一种新型纳米级胶片。这项新技术,能够以 3D 全息图的形式存储信息,从而提高数据密度、读写速度、以及在严酷条件下的稳定性。能存储1000张DVD的新型储存技术究竟是怎样的?

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我国开创第三类存储技术

近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

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据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如人们常用的U盘,在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据,第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,同时能实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

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